Catalunya fa un pas endavant en la revolució dels semiconductors amb el projecte InnoFAB

El Govern de Catalunya ha donat llum verda al projecte InnoFAB, una infraestructura tecnològica de primer nivell que situarà el país al mapa europeu del desenvolupament de semiconductors avançats. Amb una inversió global de 400 milions d’euros, el centre comptarà amb una sala blanca de 2.000 m² destinada a la recerca i preproducció de xips fabricats amb materials alternatius al silici, un dels camps més prometedors per a l’electrònica del futur.  

El projecte, impulsat conjuntament pel Departament d’Economia i Finances i el Departament de Recerca i Universitats, neix amb l’objectiu de fomentar la innovació, la transferència de coneixement i la col·laboració entre el món acadèmic i l’empresarial. InnoFAB oferirà un entorn obert per a start-ups, pimes i grans empreses, amb l’objectiu d’accelerar el pas de la recerca al mercat i consolidar Catalunya com a hub europeu de semiconductors.

A curt termini, el Govern hi destinarà 3,5 milions d’euros per iniciar la licitació del projecte d’enginyeria. A mitjà termini, l’impacte econòmic i tecnològic serà molt més ampli: creació d’ocupació científica i tècnica altament qualificada, atracció de talent internacional i fort impuls a la indústria tecnològica catalana.

 Garantir l’autonomia tecnològica  

InnoFAB s’emmarca dins del PERTE Xip i del European Chips Act, dues iniciatives que volen reduir la dependència europea del mercat asiàtic i assegurar l’autonomia tecnològica del continent. El projecte comptarà amb finançament europeu a través dels fons NextGenerationEU i amb una nova entitat pública que en garantirà la gestió i execució.

El científic José Antonio Garrido, investigador ICREA a l’Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2) i membre destacat del programa europeu Graphene Flagship, ha estat nomenat coordinador del grup de treball interdepartamental encarregat d’impulsar-ne el desplegament.

 Una aposta per l'electrònica del futur  

Amb InnoFAB, Catalunya aposta per l’electrònica del futur. Aquest projecte complementarà les actuals capacitats de disseny amb les del nou centre prototipatge i fabricació de microxips d’alt rendiment que s’ubicarà al Parc de l’Alba (Cerdayola del Vallès). La iniciativa permetrà desenvolupar xips més eficients i sostenibles amb aplicacions en camps com la salut, l’energia o la mobilitat. El projecte està liderat des del seus inicis des de l’Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2).

L’aprovació del projecte consolida la voluntat del Govern de situar Catalunya a l’avantguarda de la innovació tecnològica europea. Com a peça clau d’una nova estratègia industrial, InnoFAB simbolitza una aposta de país per la recerca aplicada, la sobirania tecnològica i la competitivitat global.